Sari la conținut
ELFORUM - Forumul electronistilor

Echivalență tranzistoare rusești


Postări Recomandate

  • Răspunsuri 3
  • Creat
  • Ultimul Răspuns

Top autori în acest subiect

Zile populare

Top autori în acest subiect

Salut,

E un tranzistor de putere RF.

La noi nu s-au produs, din cate stiu. tranzistori RF in capsula KT15 sau similar.

Inlocuitor direct ar fi 2N5177.

sau cu modificari de cablaj/prindere  si ale parametrilor electrici, doar in unele aplicatii cu 2n3632(putere si castig la jumatate)

un link  ar fi http://electronic.com.ua/spravochniki/Tranzistorq_otehestvennqe/Tranzistorq_otehestvennqe_bol%60woy_moschnosti_sverxvqsokohastotnqe_KT_900-949.htm

Editat de yo7lhe
Link spre comentariu

2T909 e varianta militara . A fost produs si in Bulgaria , cu linie de fabricatie , tehnologie si materiale importate din URSS , ca foarte multi tranzistori de aceeasi " inspiratie " ... Cea " comuna " e KT909 ... Nu schimba datele problemei , e doar o completare .

Editat de gauss
Link spre comentariu
 

2T909A

Transistors 2T909A silicon epitaxial planar structure of the npn generator.

Designed for use in power amplifiers, frequency multipliers and oscillators at frequencies 100 ... 500 MHz with a supply voltage 28 V.

 

The main technical characteristics of the transistor 2T909A:

• The structure of the transistor: npn;

• Pk t max - Dissipated power collector with heat: 27 W;

• fgr - Cut-off frequency of the transistor current gain for the common-emitter circuit: more than 350 MHz;

• Uker max - maximum collector-emitter voltage at a given current collector and a given resistance in the circuit of the base-emitter voltage: 60 V (0.01 ohms);

• Uebo max - Maximum voltage emitter-base junction reverse current at a given emitter and collector open circuit 3.5;

• Ik max - Maximum DC Collector Current: 2 A;

• Iker - Reverse current collector-emitter voltage for a given reverse voltage of the collector-emitter voltage and resistance in the base-emitter voltage: 30 mA (60V);

• CK - collector junction capacity: no more than 30 pF;

• Rke us - saturation resistance between the collector and emitter: no more than 0.3 ohms;

• Pout - Output power transistor: not less than 20 W at 500 MHz;

• tras - The decay time: less than 20 ns

Inlocuitor direct 2N5177

Editat de romicap
Link spre comentariu

Alătură-te conversației

Poți posta acum și să te înregistrezi mai târziu. Dacă ai un cont, autentifică-te acum pentru a posta cu contul tău.
Notă: Postarea ta va necesita aprobare moderator înainte de a fi vizibilă.

Vizitator
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Răspunde la acest subiect...

×   Alipit ca text avansat.   Restituie formatare

  Doar 75 emoji sunt permise.

×   Linkul tău a fost încorporat automat.   Afișează ca link în schimb

×   Conținutul tău precedent a fost resetat.   Curăță editor

×   Nu poți lipi imagini direct. Încarcă sau inserează imagini din URL.




×
×
  • Creează nouă...

Informații Importante

Am plasat cookie-uri pe dispozitivul tău pentru a îmbunătății navigarea pe acest site. Poți modifica setările cookie, altfel considerăm că ești de acord să continui.Termeni de Utilizare si Ghidări