Jump to content
ELFORUM - Forumul Electronistilor

UDAR

Membru activ
  • Content Count

    5,040
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

476 Excellent

2 Followers

About UDAR

Profile Information

  • Locatie
    Cluj Napoca

Recent Profile Visitors

The recent visitors block is disabled and is not being shown to other users.

  1. Niște poze - cum măsoară aparatul, cum arată pe dinăuntru, etc . Cam așa se face când ceri sfaturi ....
  2. OK, mulțumesc. O să te contactez .
  3. Îmi cer scuze , am uitat să pun link-ul . https://d114hh0cykhyb0.cloudfront.net/pdfs/Duris+S5+IES+LM-80-08+Test+Report+and+TM-21-11+Project.pdf Desigur însă că nu recomand lucrul la Ts = 105°.
  4. UDAR

    Gunoaie

    Nici măcar sigla nu este copiată corect .... În rest , pe ce bază logică ar trebui să sperăm că niște componente cu preț de 10-20 de ori mai mic ar trebui să meargă la fel cu originalele ?
  5. LED-urile dorite de @Thunderer2018 au rapoarte de fiabilitate și de ”70 Lumen Maintenace ” foarte bune . Din acestea rezultă 36000 ore (aproape) garantate dacă menține Ts sub 105°C la curentul de maxim 50mA pe care și-l propune . Partea mai complicată teoretic vine acum . Cât va fi Ts real ? Avem o disipație în incintă de 8W pe LED-uri și circa 2W pe alte alea ( cifre furnizate de OP nu calculate de mine ) . Din cei 8W pe LED-uri minim 2W ”ies” prin radiație luminoasă . Mai avem de disipat 8W prin convecție directă și indirectă precum și prin radiația infraroșie a carcasei . Deoarece nu ne așteptăm ca temperatura carcasei să fie prea ridicată vom neglija pentru început radiația și ne vom axa pe convecție. Convecția indirectă se referă la efectul de radiator al carcasei ca atare având în vedere desigur rezistența termică de la sursa de căldură la aceasta . Nu avem date pentru a o estima deci o ignorăm pe moment . Să vedem acum convecția principală adică fluxul de aer care iese prin găurile de ventilație despre care ni se vorbește. La Ts de 105°C și Tamb de 25°C avem nevoie să evacuăm circa 0.1l/s . Nu știu să fac aceste calcule de mecanica fluidelor dar cred că este fezabil.
  6. NU ! Pentru că tensiunea maximă pe MOSFET apare atunci când acest este blocat și este teoretic egală cu tensiunea de alimentare. În practică este posibil să supraviețuiască o vreme dar cu o funcționare imprevizibilă - atunci când este deschis LED-urile ard la maxim îm mod normal, atunci când este blocat se străpunge la o anumită valoare și LED-urile luminează de asemenea la o intensitate imprevizibilă . Plus că funcționarea repetată în regim de străpungere va duce până la urmă la distrugere.
  7. Ai cumva rezistență pentru JBC 30S ? Mulțumesc.
  8. Receptorul a cărui schemă bloc ai prezentat-o se poate realiza fără dificultăți majore - dacă, desigur, nu i se cer performanțe extreme. Dar în acest scop, înainte de a primi sfaturi concrete ,ar trebui să precizezi cel puțin două lucruri : - care este sursa de lumină ( emițătorul ) adică lungime de undă , intensitate luminoasă a sursei , distanța de recepție - ce tip de semnale trebuiesc decodate - adică durate, frecvențe, modulație, etc.
  9. Cerința e pentru vizibil deci toate receptoarele menționate mai sus - care sunt pentru IR - sunt , cel puțin principial, inutilizabile.
  10. UDAR

    Donatii

    Au plecat deja !
  11. UDAR

    Donatii

    DONEZ câteva tranzistoare cu Ge pe care le-am găsit astăzi căutând altceva. Detalii pe MP.
  12. 1. Ai dreptate , Rdson nu este relevantă la funcționarea într-un amplificator liniar. 2. Nu ai dreptate , Rdson nu este definită în regiunea de saturație ci în regiunea liniară ( sau ohmică sau triodă , cum vrei să-i spui ) . Dacă zici că știi formula atunci o să observi că acolo tranzistorul MOSFET este cu atât mai în saturație cu cât Vds este mai mare decât Vgs-Vth pe când Rdson este definită pentru un Vds mult mai mic decât Vgs-Vth .
  13. PS Ca să nu ne rezumăm la Wikipedia - deși ce scrie acolo este corect - : - Gray, Meyer, e.a. Analysis and Design of Integrated Circuits , John Wiley, ediția 5 , pag. 44 și următoarele - Horowitz și Hill, The Art of Electronics , Cambridge Press , ediția 2, pag. 121 și următoarele . Și după cum a spus și @franzm , lista ar putea continua la infinit , inclusiv cu profesori pe care i-am avut în școală dar din păcate nu am referințe la îndemână.
  14. @sesebe Păcat că te încăpățânezi , @franzm are dreptate . De altfel și eu am obiectat de multe ori la folosirea incorectă a termenului ”saturație” privitor la MOSFET-uri. Sigur, este puțin contraintuitiv pentru cei care am început cu bipolarele. Dar asta este, nu ne-a întrebat nimeni pe noi când a definit termenii privitori la MOSFET ! Totuși, termenul de satrurație în cazul MOSFET este corect folosit , poate mai corect decât în cazul bipolarelor (sic!) . Pentru că termenul de saturație trebuie să se refere la ceva intrinsec ( cum este la tuburi sau la MOSFET ) nu la ceva extrinsec cum este la bipolare . Dar în fine , astea sunt considerente mai mult sau mai puțin personale . Revenind la subiect , în cazul MOSFET regiunea de saturație este definită ( corect sau nu , vezi mai sus ) ca regiunea în care Vgs > Vth ( deci tranzistorul este în conducție ) și Vds > ( Vgs-Vth) adică Vds a ieșit din zona în care poate influența Ids , cu alte cuvinte Ids s-a saturat în raport cu Vds. Altfel exprimat saturația la MOSFET intervine când Ids nu mai crește cu creșterea Vds ( menținând desigur Vgs constant ) .
×
×
  • Create New...